GaN-HighPower entwickelt neue Technologien für Einsatz in PV-Wechselrichtern

„Neue Leistungselektronik für eine sonnige Zukunft“

Photovoltaik gewinnt im Zuge der weltweiten Energiewende immer größere Bedeutung für eine nachhaltige und bezahlbare Energieversorgung. Neben der erforderlichen kontinuierlichen Kostensenkung steigen aber auch die Anforderungen an die Funktionsvielfalt der Geräte. So werden etwa technische Lösungen benötigt, die neben der Einspeisung des erzeugten Stroms in das europäische Verbundnetz auch ermöglichen, dass PV-Anlagen aktiv zur Stabilisierung des Netzes beitragen. Im Projekt GaN-HighPower des Fraunhofer-Instituts für Energiewirtschaft und Energiesystemtechnik werden neue Technologien für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern der nächsten Generation entwickelt und praktisch erprobt. weiterlesen…

Entwicklung von Wechselrichtern mit Galliumnitrid-Transistor

HS Bonn-Rhein-Sieg, SMA, Fraunhofer IEE, TH Köln, Infineon u.a. beteiligen sich an Forschungsverbund

Extrem schnell schaltende Galliumnitrid-Halbleiter könnten schon bald ihren Nutzen in Photovoltaik-Wechselrichtern finden. Gleich mehrere Universitäten, Forschungsinstitute und einige Vertreter aus der Wirtschaft nehmen sich der Entwicklung einer neuen Generation von Wechselrichtern an, schreibt Marian Willuhn am 21.12.2021 im Portal pv magazine. Durch die Verwendung von Galliumnitrid-Halbleitern sollen die Geräte vor allem kleiner und leichter werden. Dazu ist ein vom Bundesministerium für Wirtschaft gefördertes Forschungsprojekt an der Hochschule Bonn-Rhein-Sieg gestartet. (Bild: Am Fraunhofer ISE schon 2012 entwickelter 1-MHz-LLC-Resonanzwandler mit 600-VGalliumnitrid-Leistungstransistoren und einer Leistung von 1 kW – © Fraunhofer ISE) weiterlesen…