Wichtige Fortschritte bei Halbleitermaterialien
Elektronik nächster Generation dank hoher Ladungsträgerbeweglichkeit in kubischem Borarsenid
Forscher der Universität Houston (UH) haben erstmals experimentell festgestellt und am 21.07.2022 veröffentlicht, dass ein kubischer Borarsenidkristall eine hohe Ladungsträgermobilität sowohl für Elektronen als auch für Löcher aufweist – die beiden Wege, auf denen eine Ladung in einem Halbleitermaterial transportiert wird – ein wichtiger Fortschritt für die Elektronik der nächsten Generation bedeutet. weiterlesen…
Deutschland kämpft mit Lieferengpässen von Halbleitern – vor allem die Automobilindustrie. Nicht nur deswegen herrscht weitgehend Übereinstimmung in EU und Bundespolitik, dass die Produktionsstätten für Halbleiter nach Europa zurückgeholt werden sollen. Am 27.07.2021 teilte Daimler mit, aufgrund von Lieferengpässen müssten an mehreren Standorten in Deutschland tausende Angestellte in Kurzarbeit geschickt werden – so 
Was für anorganische Halbleiter bereits eine etablierte Technologie ist, blieb für ihre organischen Pendants bisher eine Herausforderung: Die Feinabstimmung ihrer Energielücke durch Mischen („Blending“) verschiedener halbleitender Moleküle, um die Leistung der resultierenden Bauelemente zu optimieren. Wissenschaftler der 
Teams der Humboldt-Universität und am 
Unter der Leitung von Infineon Austria in Villach fiel am 13.05.2019 der Startschuss für das europäische Forschungsprojekt UltimateGaN (Research for GaN technologies, devices and applications to address the challenges of the futureGaN roadmap). 48 Millionen Euro werden in den nächsten drei Jahren in die Entwicklung eines Energiespar-Chips investiert. Geforscht wird laut dem 
Physiker des HZB haben an BESSY II topologische Isolatoren untersucht – Materialien, die an ihren Oberflächen sehr gut Strom leiten, während sie sich im Innern wie Isolatoren verhalten. Dabei entdeckten sie einer