Auf Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIGS) basierende Dünnschicht-Solarzelle. CIGS-Solarzellen besitzen im Gegensatz zu kristallinen Silizium-Solarzellen einen Absorber mit einer direkten Bandlücke. Die CIGS-Schicht ist 1–2 µm dick (zum Vergleich: Dickschicht-Solarzellen auf Siliziumbasis: mindestens ca. 150 µm). Dadurch muss deutlich weniger Halbleitermaterial verwendet werden. Da durch die geringen Schichtdicken die Wegstrecken der Photoladungsträger zwischen Erzeugung und Sammlung kürzer sind, sind auch die Anforderungen an das Absorbermaterial geringer. Daher werden Dünnschichtzellen aus polykristallinem CIGS hergestellt, was sowohl Energieaufwand als auch Kosten gegenüber monokristallinem Silizium reduziert. Die geringen Schichtdicken ermöglichen bei entsprechender Substratwahl die Herstellung leichter und sogar flexibler PV-Module. Zudem können Module in einer einzigen Produktionslinie hergestellt werden – ohne den Umweg über einzelne Solarzellen, die anschließend verschaltet werden müssen (Nach Wikipedia).