Entwicklung von Wechselrichtern mit Galliumnitrid-Transistor
HS Bonn-Rhein-Sieg, SMA, Fraunhofer IEE, TH Köln, Infineon u.a. beteiligen sich an Forschungsverbund
Extrem schnell schaltende Galliumnitrid-Halbleiter könnten schon bald ihren Nutzen in Photovoltaik-Wechselrichtern finden. Gleich mehrere Universitäten, Forschungsinstitute und einige Vertreter aus der Wirtschaft nehmen sich der Entwicklung einer neuen Generation von Wechselrichtern an, schreibt Marian Willuhn am 21.12.2021 im Portal pv magazine. Durch die Verwendung von Galliumnitrid-Halbleitern sollen die Geräte vor allem kleiner und leichter werden. Dazu ist ein vom Bundesministerium für Wirtschaft gefördertes Forschungsprojekt an der Hochschule Bonn-Rhein-Sieg gestartet. (Bild: Am Fraunhofer ISE schon 2012 entwickelter 1-MHz-LLC-Resonanzwandler mit 600-VGalliumnitrid-Leistungstransistoren und einer Leistung von 1 kW – © Fraunhofer ISE) weiterlesen…
Gastbeitrag mit freundlicher Genehmigung von Martin Unfried
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